Intel и Micron анонсировали новую технологию создания твердотельной памяти под названием "3D Xpoint"

Дата: 02.08.2015

На совместной пресс-конференции,  компании Intel и Micron анонсировали новую технологию создания твердотельной памяти под названием "3D Xpoint", обеспечивающую в 1000 раз большую скорость чтения и гораздо более надежное и долговременное хранение информации, чем у текущего поколения NAND. Кроме того, представленная технология позволяет получить в 10 раз большую плотность записи!

Intel и Micron заявляют, что их новый тип памяти может использоваться как в качестве системной, так и в качестве энергозависимой памяти, то есть, другими словами, ее можно использовать в качестве замены как оперативной RAM-памяти, так и SSD. В настоящий момент компьютеры могут взаимодействовать с новым типом памяти через интерфейс PCI Express, однако Intel говорит, что такой тип подключения не сможет раскрыть весь потенциал скоростей новой памяти, поэтому для максимальной эффективности памяти XPoint придется разработать новую архитектуру материнской платы.

Новостное агентство CNET сообщает, что «хранение данных новым типом памяти происходит совершенно иным способом, по сравнению с NAND-чипами». Вместо более традиционного хранения ячейки памяти в транзисторе, в новой памяти происходит изменение самих ячеек. Транзисторы при этом не используются вовсе. Новая технология позволяет паковать компоненты памяти слоями, что дает возможность размещать ячейки памяти в 8-10 раз плотнее.

Каждая пластина новой памяти на картинке выше, например, имеет два слоя и поэтому может сохранять 128 ГБ информации. В будущем количество слоев планируют увеличить, что увеличит и максимальный доступный свободный объем.